SoC sistema, pagrįsta 10 nm technologiniu procesu

Vilnius, 2023 m. spalio 17 d. – „Samsung Electronics”, pasaulinė pažangių puslaidininkių technologijų lyderė, paskelbė apie masinę pirmojo rinkoje „System-on-Chip” SoC , gaminamo naudojant 10 nm FinFET technologinį procesą, gamybą.

Pirmasis pasaulyje 10 nm FinFET proceso sprendimas bus pristatytas 2023 m. pradžioje

„

Pirmasis rinkoje masiškai gaminamas 10 nm FinFET sprendimas patvirtina mūsų lyderystę pažangių technologijų kūrimo srityje”, – sakė „Samsung Electronics” vykdomasis viceprezidentas, puslaidininkių gamybos vadovas Yong-Chi-young. – Ir toliau dėsime visas pastangas, kad sukurtume novatorišką, keičiamo dydžio technologiją ir naudotojams pateiktume skirtingus kompleksinius sprendimus.”

Naujajame „Samsung” 10 nm FinFET 10LPE procesoriuje įdiegta pažangi 3D tranzistorių struktūra. Palyginti su ankstesne 14 nm versija, patobulinta jo veikimo technologija ir dizainas, todėl 30 % pagerėjo savitojo paviršiaus ploto efektyvumas, 40 % padidėjo našumas ir 40 % sumažėjo energijos sąnaudos. Naujajame sprendime naudojamas naujausias trigubos struktūros aparatinės įrangos sprendimas, padedantis įveikti mastelio apribojimus. Jame numatytas dvipusis maršrutizavimas, kad būtų galima lanksčiau projektuoti ir maršrutizuoti nei ankstesniuose modeliuose.

Anksčiau „Samsung” pristatė savo pirmosios kartos 10 nm 10LPE . Antrosios kartos 10LPP našumas yra geresnis, ją planuojama pradėti masiškai gaminti 2023 m. antrąjį pusmetį.

Glaudžiai bendradarbiaudama su partneriais „Samsung” taip pat ketina sukurti funkcinę puslaidininkių ekosistemą, kurioje būtų integruotos etaloninio srauto, intelektinės nuosavybės ir bibliotekos patvirtinimo priemonės. Šiuo metu galima įsigyti gamybos proceso kūrimo rinkinį PDK ir intelektinės nuosavybės kūrimo rinkinį, skirtą architektūros paleidimui.

10 nm SoC sistema skaitmeniniuose įrenginiuose bus naudojama nuo kitų metų pradžios. Tikimasi, kad masiniam vartotojui jie bus prieinami 2023 m.

Panašūs įrašai: