Samsung pristatė šeštosios kartos V-NAND 3D SSD

„Samsung Electronics”, pasaulinė pažangių atminties technologijų lyderė, paskelbė apie masinę 250 GB SATA SSD diskų, pagamintų naudojant šeštos kartos 256 gigabitų V-NAND modulius su daugiau nei 100 sluoksnių trijų bitų elementų, gamybą, kurie bus tiekiami pasauliniams kompiuterių gamintojams. „Samsung” naujos kartos V-NAND modulius gamino vos 13 mėnesių, keturiais mėnesiais sutrumpindama gamybos ciklą ir pateikdama greičiausius, efektyviausiai energiją vartojančius ir lengviausiai pagaminamus modulius.

„Samsung” šeštosios kartos V-NAND moduliai pasižymi pirmaujančia duomenų perdavimo sparta ir rodo bendrovės gamybos pranašumą, kuris 3D atmintį perkelia į kitą lygmenį. Dėl unikalios „Samsung” kanalų ėsdinimo technologijos naujuosiuose V-NAND lustuose yra maždaug 40 % daugiau ląstelių nei ankstesnės kartos viengubuose 9x atminties moduliuose. Tai pasiekiama formuojant elektrai laidžią 136 sluoksnių struktūrą, po to iš viršaus į apačią vertikaliai praduriant cilindrines skylutes, todėl gaunamos homogeninės trimatės ląstelės su krūvio gaudyklės blyksnio CTF technologija.

Didėjant kiekvienos ląstelės aukščiui, NAND flash lustai tampa jautresni klaidoms ir skaitymo vėlavimui. Siekdama įveikti šį apribojimą, „Samsung” įdiegė greičio optimizuotą grandinės konstrukciją, kuri leidžia pasiekti maksimalią perdavimo spartą, mažesnę nei 450 mikrosekundžių µs rašymo operacijoms ir mažesnę nei 45 µs skaitymo operacijoms. Lyginant su ankstesnės kartos gaminiais, naujoji konstrukcija pasižymi daugiau nei 10 % didesniu našumu ir daugiau nei 15 % mažesnėmis energijos sąnaudomis.

Naujos kartos V-NAND sprendimuose bus daugiau nei 300 sluoksnių, sujungiant tris šeštosios kartos ląsteles, dėl optimizuotos konstrukcijos nesumažinant lusto našumo ar patikimumo. Be to, naujos kartos 256 GB lustui reikia tik 670 mln. vbus kanalų, palyginti su 930 mln. ankstesnės kartos lustų. Tai sumažino lusto dydį ir gamybos etapų skaičių, todėl gamybos efektyvumas padidėjo 20 %.

Naudodama didelės spartos ir mažos energijos savybes, „Samsung” ketina ne tik išplėsti savo 3D V-NAND sprendimų naudojimą tokiuose įrenginiuose kaip mobilieji prietaisai ir įmonių serveriai, bet ir perkelti juos į automobilių rinką, kurioje labai svarbus didelis patikimumas.

„Įdiegę pažangią 3D atminties technologiją masinės gamybos modeliuose, galime pristatyti atminties produktų linijas, pasižyminčias gerokai didesne sparta ir didesniu energijos suvartojimu”, – sakė „Samsung Electronics” „Flash” atminties ir technologijų viceprezidentas Kye Hyun Kyungas. – Sutrumpinę naujos kartos V-NAND produktų kūrimo ciklą, planuojame agresyviai plėsti savo sparčių, didelio našumo 512 gigabitų V-NAND sprendimų rinką.

Išleidusi 250 GB talpos SSD diską, „Samsung” antrąjį pusmetį planuoja pristatyti 512 gigabitų trigubą V-NAND V-NAND SSD diską ir eUFS. Bendrovė taip pat ketina nuo kitų metų išplėsti didelės spartos šeštos kartos V-NAND gamybą savo gamykloje Pjongteko mieste, Korėjoje.